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DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA SD-51, RECTIFICADOR DE SILICIO VRRM-45V, IF-60A, CATODO EN BASE DEL DO-5.

Diodo Tipo: Schottky SD-51 · Material: Rectificador de Silicio · Alta capacidad de Potencia

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Características Principales

  • Diodo Tipo: Schottky SD-51
  • Material: Rectificador de Silicio
  • Alta capacidad de Potencia
  • Voltaje Repetitivo de Pico inverso: 45 Volt
  • Corriente Directa Continua: 60 Amp
  • Polaridad Estándar: Cátodo en la Base
  • Temperatura de Operación: -55 a +150 °C
  • No es sensible a Descargas Electrostáticas (ESD)
  • Tipo de Empaque: DO-5 (DO-203AB)
Especificaciones Eléctricas
  • Voltaje Repetitivo Inverso (VRRM): 45 V
  • Voltaje RMS Inverso: 32 V
  • Voltaje de Bloqueo DC: 45 V
  • Corriente Directa Continua (IF): 60 A (Tc ≤ 100 °C)
  • Corriente de Pico No Repetitivo (IFSM): 800 A (t = 8.3 ms, Tc = 25 °C)
Características Térmicas
  • Resistencia Térmica (RthJC): 1.0 °C/W
  • Temperatura de Almacenamiento: -55 a +150 °C
Características Eléctricas Detalladas
  • Voltaje Directo (VF): 0.66 V (IF = 60 A, Tj = 25 °C)
  • Corriente Inversa (IR): 5 mA (VR = 45 V, Tj = 25 °C)
  • Corriente Inversa Máxima: 200 mA (VR = 45 V, Tj = 125 °C)
Características Mecánicas
  • Tipo de Empaque: DO-5 (DO-203AB)
  • Marcaje: El producto está marcado con el número de parte y configuración de terminales
Notas Importantes
  • Polaridad estándar: El cátodo está en la base
  • Polaridad inversa (R): El ánodo está en la base
  • La base es el terminal de montaje
  • Todas las especificaciones son a Tj = 25 °C, a menos que se especifique lo contrario

Dimensiones del Paquete

Dimensiones en pulgadas y milímetros:

  • A: 1/4 -28 UNF
  • B: 0.669-0.687' (17.19-17.44 mm)
  • C: Hasta 0.794' (20.16 mm)
  • D: Hasta 1.020' (25.91 mm)
  • E: 0.422-0.453' (10.72-11.50 mm)
  • F: 0.115-0.200' (2.93-5.08 mm)
  • G: Hasta 0.460' (11.68 mm)
  • J: Hasta 0.280' (7.00 mm)
  • K: 0.236' (6.00 mm) mínimo
  • M: Hasta 0.589' (14.96 mm)
  • N: Hasta 0.063' (1.60 mm)
  • P: 0.140-0.175' (3.56-4.45 mm)

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